参考まで
部品番号 | UPA650TT-E1-A |
LIXINC Part # | UPA650TT-E1-A |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 12V 5A 6WSOF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | UPA650TT-E1-A PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | UPA650TT-E1-A |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 610 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 200mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WSOF |
パッケージ・ケース: | 6-SMD, Flat Leads |
PSMN0R9-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 | 814 注文の詳細 |
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FQT5P10TF | MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 | 8506 注文の詳細 |
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TPH2R306NH,L1Q | MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP | 857 注文の詳細 |
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IRFR2905ZTRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 4363 注文の詳細 |
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MMBF0201NLT1G | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | 5019 注文の詳細 |
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SIHH21N65EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8 | 4608 注文の詳細 |
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PHP79NQ08LT,127 | MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB | 2073 注文の詳細 |
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IRL540PBF | MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB | 10443 注文の詳細 |
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CSD17484F4T | MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR | 161118 注文の詳細 |
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2SK669 | N-CHANNEL MOSFET | 11997 注文の詳細 |
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IPB60R360P7ATMA1 | IPB60R360 - 600V, 0.36OHM, N-CHA | 2169 注文の詳細 |
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R6015ENJTL | MOSFET N-CH 600V 15A LPTS | 1893 注文の詳細 |
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IPD65R1K4C6ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3 | 842 注文の詳細 |
在庫あり | 16414 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.28000 | $0.28 |
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