参考まで
部品番号 | EPC2045 |
LIXINC Part # | EPC2045 |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 100V 16A DIE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2045 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2045 |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7mOhm @ 16A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.5 nC @ 5 V |
vgs (最大): | +6V, -4V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 685 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die |
パッケージ・ケース: | Die |
CPH6443-P-TL-H | MOSFET N-CH 6CPH | 60849 注文の詳細 |
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FDD9509L-F085 | MOSFET P-CH 40V 90A DPAK | 8375 注文の詳細 |
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STFI260N6F6 | MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP | 855 注文の詳細 |
|
SSM3J46CTB(TPL3) | MOSFET P-CH 20V 2A CST3B | 851 注文の詳細 |
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APT8020JLL | MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP | 988 注文の詳細 |
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STD85N10F7AG | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK | 988 注文の詳細 |
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IPA50R950CEXKSA2 | MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220 | 1091 注文の詳細 |
|
BSC072N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 74A TDSON | 970 注文の詳細 |
|
SI7423DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8 | 2608 注文の詳細 |
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IRLR3103PBF | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | 828 注文の詳細 |
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SI3447DV | P-CHANNEL MOSFET | 9957 注文の詳細 |
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SQD50N04-4M5L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | 2695 注文の詳細 |
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STD13NM60ND | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 3965 注文の詳細 |
在庫あり | 55735 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.08000 | $2.08 |
2500 | $0.93184 | $2329.6 |
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