参考まで
部品番号 | RM8N650LD |
LIXINC Part # | RM8N650LD |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM8N650LD PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RM8N650LD |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 540mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 680 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 80W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252-2 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPA60R385CP | IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN | 1245 注文の詳細 |
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IXTH24P20 | MOSFET P-CH 200V 24A TO247 | 1162 注文の詳細 |
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FQD6N60CTM-WS | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 825 注文の詳細 |
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PMV28UNEA215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 889 注文の詳細 |
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R6012JNJGTL | MOSFET N-CH 600V 12A LPTS | 1878 注文の詳細 |
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PMV65XPEA215 | P-CHANNEL MOSFET | 885940 注文の詳細 |
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SI2300DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 | 9444 注文の詳細 |
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IPP80N08S2L07AKSA1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 | 1022 注文の詳細 |
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NTD20N06L-1G | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | 925 注文の詳細 |
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PMN42XPE,115 | MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP | 36809 注文の詳細 |
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VP2110K1-G | MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB | 4992 注文の詳細 |
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TK7A45DA(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 450V 6.5A TO220SIS | 931 注文の詳細 |
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NP40N055KLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 40A TO263 | 2584 注文の詳細 |
在庫あり | 10986 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
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