参考まで
部品番号 | IRFR9120 |
LIXINC Part # | IRFR9120 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFR9120 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFR9120 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 390 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ISL9N306AP3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 56588 注文の詳細 |
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IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC | 2541 注文の詳細 |
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IRFS7434TRLPBF | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 870 注文の詳細 |
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STW70N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 62A TO247 | 983 注文の詳細 |
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IXFP38N30X3 | MOSFET N-CH 300V 38A TO220 | 802 注文の詳細 |
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SIB422EDK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6 | 1400 注文の詳細 |
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NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP | 186885 注文の詳細 |
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PMPB12UNEAX | MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6 | 837 注文の詳細 |
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FQA7N90 | MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P | 2157 注文の詳細 |
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IRF720STRRPBF | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | 835 注文の詳細 |
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STD7N60M2 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | 6015 注文の詳細 |
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PMPB15XN,115 | MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6 | 812 注文の詳細 |
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FQI2N80TU | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK | 1468 注文の詳細 |
在庫あり | 17732 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.90000 | $0.9 |
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