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部品番号 | AUIRLR3410 |
LIXINC Part # | AUIRLR3410 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | AUIRLR3410 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | AUIRLR3410 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 105mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 34 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 800 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 79W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SIRA58DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 6923 注文の詳細 |
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IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO3P | 2333 注文の詳細 |
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SPI20N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1261 注文の詳細 |
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STK820 | MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK | 926 注文の詳細 |
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SFT1446-TL-H | MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA | 21178 注文の詳細 |
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DMN2026UVT-7 | MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 | 960 注文の詳細 |
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SQ4431EY-T1_BE3 | MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC | 3407 注文の詳細 |
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STH270N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK | 1459 注文の詳細 |
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APT20M120JCU2 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | 861 注文の詳細 |
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FDP083N15A-F102 | MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 | 1728 注文の詳細 |
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SIR870BDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK | 6880 注文の詳細 |
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BSN20BK215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 950 注文の詳細 |
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STB6NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | 969 注文の詳細 |
在庫あり | 13680 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.05000 | $2.05 |
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