参考まで
部品番号 | FDS6689S |
LIXINC Part # | FDS6689S |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDS6689S PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDS6689S |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.4mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 78 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.29 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
STF2HNK60Z | MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP | 2562 注文の詳細 |
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IRFU214BTU | N-CHANNEL POWER MOSFET | 896 注文の詳細 |
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HUF76113T3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35714 注文の詳細 |
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PSMN2R5-60PLQ | MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB | 6067 注文の詳細 |
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2SK1580-T1-A | MOSFET N-CH 16V 100MA SC70-3 SSP | 20869 注文の詳細 |
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IRF7606TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 | 888 注文の詳細 |
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BUK7Y18-55B,115 | MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK56 | 865 注文の詳細 |
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STI13NM60N | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | 1851 注文の詳細 |
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IPI45N06S4L08AKSA2 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 11904 注文の詳細 |
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FQI2N90TU | MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK | 3888 注文の詳細 |
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BSC016N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON | 3441 注文の詳細 |
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STL8N6F7 | MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT | 886 注文の詳細 |
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2N7002-TP | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | 815 注文の詳細 |
在庫あり | 12904 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.94000 | $0.94 |
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