参考まで
| 部品番号 | IPI45N06S4L08AKSA2 |
| LIXINC Part # | IPI45N06S4L08AKSA2 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPI45N06S4L08AKSA2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPI45N06S4L08AKSA2 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FQI2N90TU | MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK | 3836 注文の詳細 |
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BSC016N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON | 3465 注文の詳細 |
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STL8N6F7 | MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT | 969 注文の詳細 |
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2N7002-TP | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | 974 注文の詳細 |
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NVMFS5826NLWFT1G | MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN | 1689 注文の詳細 |
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TK7E80W,S1X | MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220 | 987 注文の詳細 |
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FQAF17P10 | MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF | 3894 注文の詳細 |
 |
BF2030-E6327 | RF N-CHANNEL MOSFET | 810 注文の詳細 |
 |
PSMN3R7-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK56 | 8154 注文の詳細 |
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CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH | 45857 注文の詳細 |
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ISZ0901NLSATMA1 | 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P | 5951 注文の詳細 |
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TK65S04N1L,LXHQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 4928 注文の詳細 |
 |
IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO3P | 301852 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11857 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.37000 | $0.37 |
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