参考まで
| 部品番号 | PMT200EPEA115 |
| LIXINC Part # | PMT200EPEA115 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | P-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMT200EPEA115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 01 - Jul 05 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMT200EPEA115 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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DMS3015SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | 533393 注文の詳細 |
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PMV28UN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 17434 注文の詳細 |
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SPP80N06S2L-09 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 959 注文の詳細 |
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IPD60R210PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO252-3 | 3183 注文の詳細 |
 |
IPZA60R045P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 | 969 注文の詳細 |
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NTD4N60T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 25827 注文の詳細 |
 |
RFD16N05SM | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA | 11848 注文の詳細 |
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IPB090N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 807 注文の詳細 |
 |
FDB0165N807L | MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 | 1522 注文の詳細 |
 |
NTF3055-160T3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7165 注文の詳細 |
 |
FDFC3N108 | MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6 | 99413 注文の詳細 |
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STI150N10F7 | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 910 注文の詳細 |
 |
CPH3461-TL-W | MOSFET N-CH 250V 350MA 3CPH | 1235 注文の詳細 |
| 在庫あり | 205917 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.18000 | $0.18 |
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