参考まで
部品番号 | BUK655R0-75C,127 |
LIXINC Part # | BUK655R0-75C,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK655R0-75C,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BUK655R0-75C,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 75 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.3mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.8V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 177 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 11.4 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 263W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
NTE2394 | MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P | 1071 注文の詳細 |
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DMN6140LQ-7 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | 915 注文の詳細 |
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STFI31N65M5 | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP | 835 注文の詳細 |
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IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD | 1915 注文の詳細 |
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IMBF170R450M1XTMA1 | SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 | 1532 注文の詳細 |
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IXTP32P20T | MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB | 1205 注文の詳細 |
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SCT3080AW7TL | TRANS SJT N-CH 650V 29A TO263-7 | 1844 注文の詳細 |
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SISS60DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK | 6640 注文の詳細 |
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SFU9130TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 5840 注文の詳細 |
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STW20N95K5 | MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3 | 1391 注文の詳細 |
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FDU8770 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | 8005 注文の詳細 |
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HUFA76619D3ST | MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA | 2655 注文の詳細 |
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MMDFS2P102R2 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 983 注文の詳細 |
在庫あり | 10847 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.03000 | $1.03 |
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