参考まで
部品番号 | BSC882N03MSGATMA1 |
LIXINC Part # | BSC882N03MSGATMA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSC882N03MSGATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BSC882N03MSGATMA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 34 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 22A (Ta), 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.6mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4.3 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TDSON-8-1 |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
TN0104N3-G | MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 | 1166 注文の詳細 |
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IRFP4668PBF | MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC | 967 注文の詳細 |
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FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 2225 注文の詳細 |
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FQI4N20TU | MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK | 5807 注文の詳細 |
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RQ6C065BCTCR | MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 | 965 注文の詳細 |
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APT60N60SCSG/TR | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | 817 注文の詳細 |
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IXTQ30N60L2 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | 3956 注文の詳細 |
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NVTFS4823NWFTWG | MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | 5988 注文の詳細 |
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SI3442BDV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP | 9154 注文の詳細 |
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TPH5200FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP | 6930 注文の詳細 |
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FCD360N65S3R0 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | 2630 注文の詳細 |
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FDFME2P823ZT | 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET | 40829 注文の詳細 |
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IMW120R350M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 | 1112 注文の詳細 |
在庫あり | 35830 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
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