参考まで
| 部品番号 | IPD60R600E6BTMA1 |
| LIXINC Part # | IPD60R600E6BTMA1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD60R600E6BTMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD60R600E6BTMA1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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DMG8N65SCT | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB | 999 注文の詳細 |
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TPH3206PSB | GANFET N-CH 650V 16A TO220AB | 2428 注文の詳細 |
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DMP3018SFVQ-13 | MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 | 941 注文の詳細 |
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IRFL024NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | 3488 注文の詳細 |
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IPI086N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 954 注文の詳細 |
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HUF76143S3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2295 注文の詳細 |
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FDS7096N3 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | 184717 注文の詳細 |
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FQB8N90CTM | MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK | 1282 注文の詳細 |
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CSD16556Q5B | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 870 注文の詳細 |
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ZDX080N50 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM | 1395 注文の詳細 |
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FQP3N30 | MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3 | 1052 注文の詳細 |
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SI4090DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | 1626 注文の詳細 |
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IPW60R280P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 | 879 注文の詳細 |
| 在庫あり | 73488 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.48000 | $0.48 |
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