参考まで
部品番号 | FQB8N90CTM |
LIXINC Part # | FQB8N90CTM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB8N90CTM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB8N90CTM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.08 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 171W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
CSD16556Q5B | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 930 注文の詳細 |
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ZDX080N50 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM | 1356 注文の詳細 |
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FQP3N30 | MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3 | 1165 注文の詳細 |
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SI4090DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | 1616 注文の詳細 |
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IPW60R280P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 | 820 注文の詳細 |
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IPW65R420CFDFKSA2 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 | 844 注文の詳細 |
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NTD4815N-1G | MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK | 4025 注文の詳細 |
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APT44F80B2 | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | 868 注文の詳細 |
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FQD5N20LTF | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 948 注文の詳細 |
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IRLMS1503TRPBF | MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 | 4998 注文の詳細 |
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AON1606 | MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN | 954 注文の詳細 |
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IXTA24N65X2 | MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA | 944 注文の詳細 |
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NVBLS0D7N04M8TXG | MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF | 871 注文の詳細 |
在庫あり | 11269 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.14000 | $1.14 |
800 | $1.14000 | $912 |
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