参考まで
部品番号 | FQD5N20LTF |
LIXINC Part # | FQD5N20LTF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD5N20LTF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD5N20LTF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.2 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 325 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRLMS1503TRPBF | MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 | 5055 注文の詳細 |
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AON1606 | MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN | 987 注文の詳細 |
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IXTA24N65X2 | MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA | 933 注文の詳細 |
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NVBLS0D7N04M8TXG | MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF | 908 注文の詳細 |
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IRLL014TRPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | 3458 注文の詳細 |
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IPB136N08N3GATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4991 注文の詳細 |
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IRFB4321PBF | MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB | 824 注文の詳細 |
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SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | 875 注文の詳細 |
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ATP302-TL-H | MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK | 950 注文の詳細 |
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FQB34N20TM-AM002 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 803 注文の詳細 |
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NTMFS4H01NT3G | MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | 822 注文の詳細 |
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SI7114DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8 | 989 注文の詳細 |
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AUIRF1010Z | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 17375 注文の詳細 |
在庫あり | 10872 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.24000 | $0.24 |
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