参考まで
部品番号 | IRFB7434GPBF |
LIXINC Part # | IRFB7434GPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 40V STRONGIRFET N CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFB7434GPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFB7434GPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 195A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.9V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 324 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 10.82 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
RM10N30D2 | MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN | 875 注文の詳細 |
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APT5018SFLLG/TR | MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK | 965 注文の詳細 |
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XP233N05013R-G | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3 | 3823 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN | 940 注文の詳細 |
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PSMN3R4-30BL,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4630 注文の詳細 |
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IPT60R022S7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF | 2953 注文の詳細 |
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STD35NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 9810 注文の詳細 |
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DMP4011SK3-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 | 38400 注文の詳細 |
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STW20NK50Z | MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3 | 3313 注文の詳細 |
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IXFT170N25X3HV | MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV | 968 注文の詳細 |
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NVMFS5832NLT3G | MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN | 916 注文の詳細 |
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IRF8010STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 1804 注文の詳細 |
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STP315N10F7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220 | 868 注文の詳細 |
在庫あり | 17100 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.01000 | $1.01 |
1000 | $1.01000 | $1010 |
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