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| 部品番号 | NP50P04SDG-E1-AY |
| LIXINC Part # | NP50P04SDG-E1-AY |
| メーカー | Renesas Electronics America |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NP50P04SDG-E1-AY PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NP50P04SDG-E1-AY |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 9.6mOhm @ 25A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 100 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5000 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
| 動作温度: | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252 (MP-3ZK) |
| パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
 |
IRFH7545TRPBF | MOSFET N-CH 60V 85A PQFN | 831 注文の詳細 |
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IRLS3034TRL7PP | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 1129 注文の詳細 |
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STL140N6F7 | MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT | 975 注文の詳細 |
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CSD17381F4T | MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR | 960 注文の詳細 |
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IRFPC60 | MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 | 914 注文の詳細 |
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IXFH11N80 | MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD | 810 注文の詳細 |
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STD4N90K5 | MOSFET N-CH 900V 3A DPAK | 3216 注文の詳細 |
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RSM002N06T2L | MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3 | 8750 注文の詳細 |
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IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO268 | 3943 注文の詳細 |
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IRF7855PBF | MOSFET N-CH 60V 12A 8SO | 927 注文の詳細 |
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NTP60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 934 注文の詳細 |
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SIHG080N60E-GE3 | E SERIES POWER MOSFET TO-247AC, | 895 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10870 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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