参考まで
部品番号 | SIHG080N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHG080N60E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | E SERIES POWER MOSFET TO-247AC, |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHG080N60E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHG080N60E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 80mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2557 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 227W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247AC |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
RF4L040ATTCR | PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS | 992 注文の詳細 |
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IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | 840 注文の詳細 |
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CSD25304W1015 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 818 注文の詳細 |
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STE48NM50 | MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP | 982 注文の詳細 |
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TPHR9203PL,L1Q | MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP | 2892 注文の詳細 |
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IRFZ44STRLPBF | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 2492 注文の詳細 |
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TSM70N1R4CP ROG | MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | 814 注文の詳細 |
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RM120N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 120A 8DFN | 921 注文の詳細 |
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STFU24N60M2 | MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP | 1943 注文の詳細 |
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NVMFS5C682NLAFT1G | MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN | 900 注文の詳細 |
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APT50M38JLL | MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP | 973 注文の詳細 |
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MIC94050YM4-TR | MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143 | 858 注文の詳細 |
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APT60N60BCSG | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | 1054 注文の詳細 |
在庫あり | 10940 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.23000 | $5.23 |
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