参考まで
| 部品番号 | PMV19XNEAR |
| LIXINC Part # | PMV19XNEAR |
| メーカー | Nexperia |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMV19XNEAR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMV19XNEAR |
| ブランド: | Nexperia |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Nexperia |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 24mOhm @ 6A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18.6 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大): | ±8V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1150 pF @ 15 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-236AB |
| パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
 |
IRF1010ZSPBF | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 2102 注文の詳細 |
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APT10M09LVFRG | MOSFET N-CH 100V 100A TO264 | 859 注文の詳細 |
 |
FDD4N60NZ | MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK | 5810 注文の詳細 |
 |
ZXMN10A25GTA | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | 12614 注文の詳細 |
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FDP8030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 8210 注文の詳細 |
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ATP602-TL-H | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK | 66986 注文の詳細 |
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PMV16UN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 318604 注文の詳細 |
 |
APT34M60S | MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK | 1114 注文の詳細 |
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BUK754R3-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB | 5825 注文の詳細 |
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SSM3K376R,LF | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F | 11274 注文の詳細 |
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IRFH8316TRPBF-IR | IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET | 5341 注文の詳細 |
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SQM40010EL_GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 963 注文の詳細 |
 |
AONR66406 | MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN | 802 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10941 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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