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部品番号 | SSM6J412TU,LF |
LIXINC Part # | SSM6J412TU,LF |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 4A UF6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SSM6J412TU,LF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | SSM6J412TU,LF |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | U-MOSVI |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 42.7mOhm @ 3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12.8 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 840 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1W (Ta) |
動作温度: | 150°C |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | UF6 |
パッケージ・ケース: | 6-SMD, Flat Leads |
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在庫あり | 18228 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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