SSM6J412TU,LF

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部品番号 SSM6J412TU,LF
LIXINC Part # SSM6J412TU,LF
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 20V 4A UF6
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SSM6J412TU,LF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SSM6J412TU,LF 仕様

部品番号:SSM6J412TU,LF
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVI
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.5V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:42.7mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:12.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:840 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1W (Ta)
動作温度:150°C
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:UF6
パッケージ・ケース:6-SMD, Flat Leads

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