DMN60H080DS-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

拡大する

参考まで

部品番号	DMN60H080DS-7
LIXINC Part #	DMN60H080DS-7
メーカー	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	DMN60H080DS-7 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
支払い
運送

DMN60H080DS-7 仕様

部品番号:	DMN60H080DS-7
ブランド:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	80mA (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:	100Ohm @ 60mA, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	1.7 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	25 pF @ 25 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	1.1W (Ta)
動作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	SOT-23-3
パッケージ・ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIHP21N65EF-GE3	MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB	1072 注文の詳細
NTF6P02T3G	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223	928 注文の詳細
IXTP02N50D	MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB	5036 注文の詳細
BSZ025N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON	90265 注文の詳細
BSC883N03LSG	N-CHANNEL POWER MOSFET	15822 注文の詳細
PH3120L,115-NXP	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	998 注文の詳細
PSMN012-80PS,127	MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB	22158 注文の詳細
NVMFS5844NLT3G	MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN	871 注文の詳細
MMBF2201NT1G	MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3	2147484617 注文の詳細
STP10NK70ZFP	MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP	810 注文の詳細
IPB22N03S4L-15	IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT	2348 注文の詳細
IPD50R650CEAUMA1	MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3	3199 注文の詳細
BSO130P03SHXUMA1	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO	2353 注文の詳細