参考まで
| 部品番号 | PH3120L,115-NXP |
| LIXINC Part # | PH3120L,115-NXP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PH3120L,115-NXP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PH3120L,115-NXP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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PSMN012-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB | 22161 注文の詳細 |
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NVMFS5844NLT3G | MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | 928 注文の詳細 |
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MMBF2201NT1G | MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 | 2147484510 注文の詳細 |
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STP10NK70ZFP | MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP | 911 注文の詳細 |
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IPB22N03S4L-15 | IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | 2315 注文の詳細 |
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IPD50R650CEAUMA1 | MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3 | 3117 注文の詳細 |
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BSO130P03SHXUMA1 | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO | 2367 注文の詳細 |
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AOTF5N50FD | MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F | 869 注文の詳細 |
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SI4434ADY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO | 10886 注文の詳細 |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | MOSFET N-CH 950V 6A TO220 | 1447 注文の詳細 |
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BUK954R4-80E,127 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | 1337 注文の詳細 |
 |
IPD046N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | 885 注文の詳細 |
 |
H5N5016PL-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 850 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10800 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.25000 | $0.25 |
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