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部品番号 | BUK954R4-80E,127 |
LIXINC Part # | BUK954R4-80E,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK954R4-80E,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BUK954R4-80E,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 123 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 17.13 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 349W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IPD046N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | 827 注文の詳細 |
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H5N5016PL-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 992 注文の詳細 |
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IPB020NE7N3GATMA1 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 1028 注文の詳細 |
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IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | 955 注文の詳細 |
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RJK0301DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 73921 注文の詳細 |
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AUIRFS8403 | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 8219 注文の詳細 |
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FCD850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 5901 注文の詳細 |
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TSM60NB600CF C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | 4474 注文の詳細 |
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STP60NF06L | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 929 注文の詳細 |
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FDP045N10A | 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL | 3886 注文の詳細 |
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RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA | 2796 注文の詳細 |
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SIHB22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 1193 注文の詳細 |
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IPD40N03S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 | 20201 注文の詳細 |
在庫あり | 11436 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.25000 | $1.25 |
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