参考まで
部品番号 | 2SK4171 |
LIXINC Part # | 2SK4171 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | N-CHANNEL SILICON MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK4171 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 2SK4171 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.2mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 135 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6.9 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.75W (Ta), 75W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 12393 注文の詳細 |
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NTD5C648NLT4G | MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK | 19975837 注文の詳細 |
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SQP50N06-09L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1717 注文の詳細 |
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SPP08N80C3XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 | 1211 注文の詳細 |
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NDDP010N25AZ-1H | NDDP010N25AZ-1H | 810 注文の詳細 |
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STF13NM60N | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP | 1267 注文の詳細 |
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 2990 注文の詳細 |
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ZXMN15A27KTC | MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3 | 883 注文の詳細 |
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TSM60N1R4CH C5G | MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251 | 823 注文の詳細 |
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IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA | 804 注文の詳細 |
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IPI100N04S3-03 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1591 注文の詳細 |
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NVB6411ANT4G | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3 | 1735 注文の詳細 |
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FDS6375 | MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC | 7767 注文の詳細 |
在庫あり | 10879 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.28000 | $3.28 |
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