参考まで
部品番号 | SI7116BDN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI7116BDN-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI7116BDN-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI7116BDN-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18.4A (Ta), 65A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.4mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 48 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1915 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
IPP65R150CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 | 1135 注文の詳細 |
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AUIRF1324STRL | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 8810 注文の詳細 |
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SIHG16N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC | 1525 注文の詳細 |
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G3R160MT12J | SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7 | 1386 注文の詳細 |
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XP232N03013R-G | MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3 | 3852 注文の詳細 |
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STP5NK80ZFP | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP | 916 注文の詳細 |
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FDS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC | 1781 注文の詳細 |
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IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO247 | 895 注文の詳細 |
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2SK2084L-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1796 注文の詳細 |
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APT10050B2VFRG | MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX | 820 注文の詳細 |
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SSM6J771G,LF | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | 897 注文の詳細 |
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NTP7D3N15MC | MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220 | 1539 注文の詳細 |
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FDS4410 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | 75592 注文の詳細 |
在庫あり | 10972 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.21000 | $1.21 |
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