参考まで
部品番号 | SIHJ690N60E-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIHJ690N60E-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHJ690N60E-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIHJ690N60E-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 700mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 347 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 48W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 |
FDP2572 | MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3 | 1541 注文の詳細 |
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IRFR7746PBF | HEXFET POWER MOSFET | 2179 注文の詳細 |
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STB12NM50T4 | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | 948 注文の詳細 |
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SQP90P06-07L_GE3 | MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB | 2215 注文の詳細 |
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IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA | 971 注文の詳細 |
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BSC020N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON | 6405 注文の詳細 |
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SIHP35N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB | 1973 注文の詳細 |
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SIJA58ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK | 7004 注文の詳細 |
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CSD16415Q5T | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 1132 注文の詳細 |
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PSMN010-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK56 | 4959 注文の詳細 |
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FDS2570 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3359 注文の詳細 |
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CMPDM7002AHC TR PBFREE | MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 | 2147484633 注文の詳細 |
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BSC883N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 74206 注文の詳細 |
在庫あり | 13820 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.83000 | $1.83 |
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