参考まで
部品番号 | BSC883N03MSG |
LIXINC Part # | BSC883N03MSG |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSC883N03MSG PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 01 - Jul 05 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | BSC883N03MSG |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
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SI4778DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 25V 8A 8SO | 2452 注文の詳細 |
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IRFBC40APBF | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB | 1105 注文の詳細 |
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FDN357N | MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 | 19546 注文の詳細 |
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IRF9Z34PBF | MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB | 913 注文の詳細 |
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STL24N65M2 | MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV | 961 注文の詳細 |
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IPA057N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP | 1027 注文の詳細 |
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NTMD4184PFR2G | MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC | 3229 注文の詳細 |
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TPH1110ENH,L1Q | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP | 999 注文の詳細 |
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BSS123W | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 | 1687 注文の詳細 |
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PHB45NQ10T,118 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | 5369 注文の詳細 |
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NTLUS4930NTBG | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN | 39753 注文の詳細 |
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IPB80N04S3H4ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | 34992 注文の詳細 |
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IPB160N04S4H1ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | 1123 注文の詳細 |
在庫あり | 74281 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.35000 | $0.35 |
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