参考まで
部品番号 | IRFBC40APBF |
LIXINC Part # | IRFBC40APBF |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFBC40APBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 01 - Jul 05 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | IRFBC40APBF |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.2A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1036 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
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FDN357N | MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 | 19633 注文の詳細 |
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IPB80N04S306ATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 948 注文の詳細 |
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CSD25481F4T | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 800 注文の詳細 |
在庫あり | 11009 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.38000 | $2.38 |
50 | $1.91909 | $95.9545 |
100 | $1.72723 | $172.723 |
500 | $1.34337 | $671.685 |
1000 | $1.11307 | $1113.07 |
2500 | $1.03632 | $2590.8 |
5000 | $0.99793 | $4989.65 |
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