参考まで
部品番号 | SIHU7N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHU7N60E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHU7N60E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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部品番号: | SIHU7N60E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 680 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 78W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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BSB013NE2LXIXUMA1 | MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON | 9659 注文の詳細 |
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BUK7M20-40HX | MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 | 992 注文の詳細 |
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IPA105N15N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP | 991 注文の詳細 |
在庫あり | 10962 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.88500 | $0.885 |
3000 | $0.88500 | $2655 |
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