参考まで
部品番号 | SPB80N03S2L05 |
LIXINC Part # | SPB80N03S2L05 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SPB80N03S2L05 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SPB80N03S2L05 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
2SK4210 | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB | 3466 注文の詳細 |
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STF24N60M6 | MOSFET N-CH 600V TO220FP | 1761 注文の詳細 |
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SIHP25N60EFL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB | 1605 注文の詳細 |
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FQT4N25TF | MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4 | 3462 注文の詳細 |
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IXFP26N30X3 | MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB | 502606 注文の詳細 |
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ZVN4525GTA | MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 | 19593 注文の詳細 |
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SN7002WH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 | 4087 注文の詳細 |
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RQ3E100MNTB1 | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | 6217 注文の詳細 |
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BTS131E3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9921 注文の詳細 |
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FQB6N70TM | MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK | 4304 注文の詳細 |
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UJ3C065030T3S | MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 | 1258 注文の詳細 |
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SPB21N50C3ATMA1 | MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 | 1961 注文の詳細 |
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IRFB4019PBF | MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB | 2920 注文の詳細 |
在庫あり | 73536 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.35000 | $0.35 |
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