IRFB59N10DPBF

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部品番号 IRFB59N10DPBF
LIXINC Part # IRFB59N10DPBF
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SMPS HEXFET POWER MOSFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRFB59N10DPBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRFB59N10DPBF 仕様

部品番号:IRFB59N10DPBF
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:59A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:114 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2.45 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-220AB
パッケージ・ケース:TO-220-3

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