参考まで
| 部品番号 | BUK7Y43-60E115 |
| LIXINC Part # | BUK7Y43-60E115 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BUK7Y43-60E115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BUK7Y43-60E115 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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CSD18563Q5A | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | 15297 注文の詳細 |
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SIHD3N50DT4-GE3 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | 950 注文の詳細 |
 |
FDBL0200N100 | MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF | 915 注文の詳細 |
 |
STP310N10F7 | MOSFET N CH 100V 180A TO-220 | 918 注文の詳細 |
 |
AUIRFR4105ZTRL | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE | 2814 注文の詳細 |
 |
FQT7N10LTF | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 | 1380 注文の詳細 |
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RSH070N05GZETB | MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP | 851 注文の詳細 |
 |
DMP2035U-7 | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3 | 11519 注文の詳細 |
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PSMN2R0-60ES,127 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 9702 注文の詳細 |
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NDS0610 | MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 | 65812 注文の詳細 |
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IPB022N04LGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK | 953 注文の詳細 |
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RE1C002UNTCL | MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F | 966 注文の詳細 |
 |
ZXMN6A09KQTC | MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252 | 854 注文の詳細 |
| 在庫あり | 18391 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.11000 | $0.11 |
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