参考まで
部品番号 | RE1C002UNTCL |
LIXINC Part # | RE1C002UNTCL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RE1C002UNTCL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | RE1C002UNTCL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 200mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.2V, 2.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 25 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 150mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | EMT3F (SOT-416FL) |
パッケージ・ケース: | SC-89, SOT-490 |
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在庫あり | 10982 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.21000 | $0.21 |
3000 | $0.03440 | $103.2 |
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