参考まで
部品番号 | IRFIZ48NPBF |
LIXINC Part # | IRFIZ48NPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFIZ48NPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | IRFIZ48NPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 40A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 16mOhm @ 22A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 89 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.9 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 54W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB Full-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
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IPB80N04S2H4ATMA2 | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | 1602 注文の詳細 |
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BSZ0911LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 10966 注文の詳細 |
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BUK654R8-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 5788 注文の詳細 |
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UPA652TT-E1-A | MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF | 21860 注文の詳細 |
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IPN70R450P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 | 3413 注文の詳細 |
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NTD4910N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK | 12355 注文の詳細 |
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FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK | 830055939 注文の詳細 |
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RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1684 注文の詳細 |
在庫あり | 19035 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.63000 | $0.63 |
10 | $0.56280 | $5.628 |
100 | $0.45092 | $45.092 |
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