参考まで
部品番号 | SI7308DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI7308DN-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI7308DN-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | SI7308DN-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 58mOhm @ 5.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 665 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
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NTMFS4945NT1G | MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN | 230625 注文の詳細 |
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BUK654R8-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 5799 注文の詳細 |
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UPA652TT-E1-A | MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF | 21855 注文の詳細 |
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IPN70R450P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 | 3429 注文の詳細 |
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RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1716 注文の詳細 |
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PSMN3R2-30YLC,115 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 2073 注文の詳細 |
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FDD5810 | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK | 1501 注文の詳細 |
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BSS84AKVL | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | 859 注文の詳細 |
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FDC2512 | MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 | 3198 注文の詳細 |
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ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK | 802 注文の詳細 |
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IXTA2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 939 注文の詳細 |
在庫あり | 16442 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
3000 | $0.55760 | $1672.8 |
6000 | $0.53142 | $3188.52 |
15000 | $0.51272 | $7690.8 |
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