参考まで
部品番号 | UPA652TT-E1-A |
LIXINC Part # | UPA652TT-E1-A |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | UPA652TT-E1-A PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | UPA652TT-E1-A |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 294mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.1 nC @ 4 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 126 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WSOF |
パッケージ・ケース: | 6-SMD, Flat Leads |
IPN70R450P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 | 3352 注文の詳細 |
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NTD4910N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK | 12273 注文の詳細 |
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FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK | 830055800 注文の詳細 |
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RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1764 注文の詳細 |
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PSMN3R2-30YLC,115 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 2057 注文の詳細 |
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FDD5810 | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK | 1384 注文の詳細 |
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BSS84AKVL | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | 947 注文の詳細 |
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FDC2512 | MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 | 3117 注文の詳細 |
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ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK | 817 注文の詳細 |
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IXTA2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 963 注文の詳細 |
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PMV30ENEAR | MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB | 6628 注文の詳細 |
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RP1E090RPTR | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 | 1591 注文の詳細 |
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SI4455DY-T1-E3 | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO | 3955 注文の詳細 |
在庫あり | 21979 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.15000 | $0.15 |
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