参考まで
部品番号 | CSD23203W |
LIXINC Part # | CSD23203W |
メーカー | Texas Instruments |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | CSD23203W PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | CSD23203W |
ブランド: | Texas Instruments |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Texas Instruments |
シリーズ: | NexFET™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 8 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.3 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | -6V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 914 pF @ 4 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 750mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-DSBGA |
パッケージ・ケース: | 6-UFBGA, DSBGA |
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SI7308DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 6444 注文の詳細 |
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BUK654R8-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 5777 注文の詳細 |
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FDC2512 | MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 | 3037 注文の詳細 |
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ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK | 970 注文の詳細 |
在庫あり | 10832 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.18925 | $0.18925 |
3000 | $0.18925 | $567.75 |
6000 | $0.17704 | $1062.24 |
15000 | $0.17094 | $2564.1 |
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