参考まで
| 部品番号 | IPB80N04S2H4ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB80N04S2H4ATMA2 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPB80N04S2H4ATMA2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPB80N04S2H4ATMA2 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FQPF6N40C | MOSFET N-CH 400V 6A TO220F | 8449 注文の詳細 |
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BSZ0911LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 10914 注文の詳細 |
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XP152A11E5MR-G | MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 | 825 注文の詳細 |
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CSD23203W | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | 940 注文の詳細 |
 |
SI7308DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 6360 注文の詳細 |
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NTMFS4945NT1G | MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN | 230584 注文の詳細 |
 |
BUK654R8-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 5943 注文の詳細 |
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UPA652TT-E1-A | MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF | 21933 注文の詳細 |
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IPN70R450P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 | 3405 注文の詳細 |
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NTD4910N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK | 12280 注文の詳細 |
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FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK | 830055998 注文の詳細 |
 |
RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1840 注文の詳細 |
 |
PSMN3R2-30YLC,115 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 2236 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11500 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.35000 | $1.35 |
| 1000 | $1.35000 | $1350 |
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