参考まで
部品番号 | IPB80N04S2H4ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB80N04S2H4ATMA2 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPB80N04S2H4ATMA2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPB80N04S2H4ATMA2 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
FQPF6N40C | MOSFET N-CH 400V 6A TO220F | 8254 注文の詳細 |
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BSZ0911LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 10830 注文の詳細 |
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XP152A11E5MR-G | MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 | 833 注文の詳細 |
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CSD23203W | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | 870 注文の詳細 |
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SI7308DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 6291 注文の詳細 |
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NTMFS4945NT1G | MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN | 230544 注文の詳細 |
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BUK654R8-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 5791 注文の詳細 |
|
UPA652TT-E1-A | MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF | 21932 注文の詳細 |
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IPN70R450P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 | 3286 注文の詳細 |
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NTD4910N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK | 12326 注文の詳細 |
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FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK | 830055934 注文の詳細 |
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RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1881 注文の詳細 |
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PSMN3R2-30YLC,115 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 2158 注文の詳細 |
在庫あり | 11477 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.35000 | $1.35 |
1000 | $1.35000 | $1350 |
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