IRF5803D2

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部品番号 IRF5803D2
LIXINC Part # IRF5803D2
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRF5803D2 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRF5803D2 仕様

部品番号:IRF5803D2
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:FETKY™
パッケージ:Tube
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:3.4A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:112mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:37 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1110 pF @ 25 V
フェチ機能:Schottky Diode (Isolated)
消費電力 (最大):2W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SO
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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