参考まで
部品番号: | 6116LA20SO |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | - |
メモリフォーマット: | - |
テクノロジー: | - |
メモリー容量: | - |
メモリ インターフェイス: | - |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
GS832018AGT-250I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 946 注文の詳細 |
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MT58L64L18DT-10 | CACHE SRAM, 64KX18, 5NS PQFP100 | 5993 注文の詳細 |
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MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | 999 注文の詳細 |
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MR2A08ACMA35 | IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | 1761 注文の詳細 |
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IS42S32160F-7BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 949 注文の詳細 |
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CY7C1265KV18-550BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1238 注文の詳細 |
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GS8640Z36GT-300I | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP | 897 注文の詳細 |
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IS61NLF12836A-7.5TQLI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 923 注文の詳細 |
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HN58V256ATI12E | 256K SERIAL EEPROM | 1236 注文の詳細 |
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11LC020T-E/SN | IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE 8SOIC | 910 注文の詳細 |
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S25FL512SDSMFV011 | IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 966 注文の詳細 |
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CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | 897 注文の詳細 |
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71V65703S85BGGI8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA | 911 注文の詳細 |
在庫あり | 11287 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.80000 | $2.8 |
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