IS61NVP51236-200B3

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部品番号 IS61NVP51236-200B3
LIXINC Part # IS61NVP51236-200B3
メーカー ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IS61NVP51236-200B3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IS61NVP51236-200B3 仕様

部品番号:IS61NVP51236-200B3
ブランド:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Obsolete
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
メモリー容量:18Mb (512K x 36)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:200 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:3.1 ns
電圧 - 供給:2.375V ~ 2.625V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:165-TBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:165-TFBGA (13x15)

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