参考まで
| 部品番号: | 71V016SA15BFG |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 1Mb (64K x 16) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
| アクセス時間: | 15 ns |
| 電圧 - 供給: | 3V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 48-LFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 48-FBGA (7x7) |
|
5962-3829417MZA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | 897 注文の詳細 |
|
S72XS256RE0AHBH23 | IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA | 949 注文の詳細 |
|
AS4C256M16MD4-062BAN | IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA | 1657 注文の詳細 |
|
TH58BVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4G 67VFBGA | 967 注文の詳細 |
|
CG6227AA | SPECIAL | 987 注文の詳細 |
|
GVT71128E36T-10T | SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 4M BI | 4495 注文の詳細 |
|
HN58V256AFPI12E | 256K SERIAL EEPROM | 919 注文の詳細 |
|
MTFC4GLGDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | 889 注文の詳細 |
|
AS4C256M16D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 1072 注文の詳細 |
|
TMS6287-45N | STANDARD SRAM, 128KX8, 85NS, PDI | 82115 注文の詳細 |
|
GD25LE16CLIGR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 21WLCSP | 867 注文の詳細 |
|
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A | TLC 256G 32GX8 VBGA | 847 注文の詳細 |
|
7006S35G | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PGA | 915 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10935 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.16716 | $3.16716 |
| 476 | $2.88019 | $1370.97044 |
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