MB85R256GPF-G-BND-ERE1

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部品番号 MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part # MB85R256GPF-G-BND-ERE1
メーカー Fujitsu Electronics America, Inc.
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC FRAM 256KBIT PARALLEL
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MB85R256GPF-G-BND-ERE1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 26 - Oct 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 仕様

部品番号:MB85R256GPF-G-BND-ERE1
ブランド:Fujitsu Electronics America, Inc.
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Fujitsu Electronics America, Inc.
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Obsolete
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:FRAM
テクノロジー:FRAM (Ferroelectric RAM)
メモリー容量:256Kb (32K x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:150ns
アクセス時間:150 ns
電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:-
パッケージ・ケース:-
サプライヤー デバイス パッケージ:-

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