参考まで
部品番号: | EDB4432BBPE-1D-F-D |
ブランド: | Micron Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Micron Technology |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | DRAM |
テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
メモリー容量: | 4Gb (128M x 32) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | 533 MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 1.14V ~ 1.95V |
動作温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
ECF440AACCN-P2-Y3 | LPDDR3 4G DIE 128MX32 | 915 注文の詳細 |
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70T3589S133DR8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | 826 注文の詳細 |
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S99AL016J70BFI010 | IC FLASH MEMORY NOR | 971 注文の詳細 |
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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 974 注文の詳細 |
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IS42S32800G-6B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 854 注文の詳細 |
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24AA08H-I/WF16K | IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ DIE | 812 注文の詳細 |
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MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA | 981 注文の詳細 |
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MT40A512M16TB-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | 859 注文の詳細 |
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A2C01566600 A | IC MEMORY FLASH NAND 48-TSOP | 916 注文の詳細 |
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MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR | IC FLASH 4TB PARALLEL 267MHZ | 912 注文の詳細 |
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MT53D4DBNZ-DC | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | 821 注文の詳細 |
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MT29F1G08ABBEAH4-IT:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 912 注文の詳細 |
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CG7499AAT | IC SRAM NON VOLATILE 48FBGA | 928 注文の詳細 |
在庫あり | 10888 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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