参考まで
| 部品番号 | FQB10N20CTM |
| LIXINC Part # | FQB10N20CTM |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FQB10N20CTM PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FQB10N20CTM |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | QFET® |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.5A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±30V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 510 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 72W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
 |
IPB22N03S4L-15ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8968 注文の詳細 |
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IRFBG20PBF | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 866 注文の詳細 |
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RSF015N06TL | MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 | 2425 注文の詳細 |
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IRFS4229TRLPBF | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 951 注文の詳細 |
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NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | 59478 注文の詳細 |
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IPT65R195G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF | 2634 注文の詳細 |
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GKI03080 | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN | 931 注文の詳細 |
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FDMT80060DC | MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL | 937 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10867 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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