参考まで
部品番号 | IRLR210ATM |
LIXINC Part # | IRLR210ATM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRLR210ATM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRLR210ATM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.5Ohm @ 1.35A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 9 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 240 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 21W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IXFP30N60X | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | 2059 注文の詳細 |
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IRF654BFP001 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3924 注文の詳細 |
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FDU8580 | MOSFET N-CH 20V 35A IPAK | 8018 注文の詳細 |
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SI4800BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO | 5339 注文の詳細 |
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TSM4NB60CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | 838 注文の詳細 |
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IRFI4228PBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 1129 注文の詳細 |
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SI7634BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 907 注文の詳細 |
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IRLD014PBF | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP | 7952 注文の詳細 |
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SPP02N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6102 注文の詳細 |
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SSM6J206FE(TE85L,F | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 7119 注文の詳細 |
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DMTH10H010SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 2088 注文の詳細 |
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IPAW70R600CEXKSA1 | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31 | 4484 注文の詳細 |
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BUK953R5-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 3222 注文の詳細 |
在庫あり | 18331 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
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