参考まで
部品番号 | 2SK3821-E |
LIXINC Part # | 2SK3821-E |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 40A SMP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK3821-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 2SK3821-E |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 40A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 33mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.6V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 73 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4200 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SMP |
パッケージ・ケース: | TO-220-3, Short Tab |
CSD18543Q3A | MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON | 14239 注文の詳細 |
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SQD50N04-5M6_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | 2766 注文の詳細 |
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NDTL01N60ZT3G | MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223 | 843 注文の詳細 |
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HUF75344P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1217 注文の詳細 |
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SIA483DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 16888 注文の詳細 |
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NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | 8273 注文の詳細 |
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FKI10126 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220F | 812 注文の詳細 |
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IPI80N04S2-04 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1279 注文の詳細 |
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TK7A50D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS | 879 注文の詳細 |
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ES6U42T2R | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT | 980 注文の詳細 |
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BSC018N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | 5270 注文の詳細 |
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EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | 1221 注文の詳細 |
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IRF540ZLPBF | MOSFET N-CH 100V 36A TO262 | 1908 注文の詳細 |
在庫あり | 19563 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.81000 | $2.81 |
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