ZXMN10B08E6TA

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部品番号 ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part # ZXMN10B08E6TA
メーカー Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル ZXMN10B08E6TA PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ZXMN10B08E6TA 仕様

部品番号:ZXMN10B08E6TA
ブランド:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:1.6A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.3V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:9.2 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:497 pF @ 50 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1.1W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SOT-26
パッケージ・ケース:SOT-23-6

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