参考まで
部品番号 | IRFH4210DTRPBF |
LIXINC Part # | IRFH4210DTRPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFH4210DTRPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFH4210DTRPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 44A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.1mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 77 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4.812 pF @ 13 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PQFN (5x6) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
FDBL0120N40 | MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF | 9935 注文の詳細 |
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ZVP4525ZTA | MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3 | 360475854 注文の詳細 |
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IXTA64N10L2 | MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA | 890 注文の詳細 |
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NVMFS5C426NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN | 922 注文の詳細 |
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FQP6N60C | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3 | 9212979 注文の詳細 |
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AON6560 | MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN | 878 注文の詳細 |
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BUK7M12-40EX | MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33 | 1684 注文の詳細 |
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IMW120R045M1XKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3 | 1139 注文の詳細 |
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PSMN5R4-25YLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56 | 1939 注文の詳細 |
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2SK3043 | MOSFET N-CH 450V 5A TO220D-A1 | 1194 注文の詳細 |
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NTLUS4C16NTBG | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN | 18826 注文の詳細 |
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RD3H080SPFRATL | MOSFET P-CH 45V 8A TO252 | 2458 注文の詳細 |
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RFD3055LESM | MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA | 45660 注文の詳細 |
在庫あり | 13798 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.84000 | $0.84 |
4000 | $0.84000 | $3360 |
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