参考まで
部品番号 | IRF2903ZPBF |
LIXINC Part # | IRF2903ZPBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF2903ZPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | IRF2903ZPBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 150µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 240 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6320 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 290W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
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IPA80R1K4CEXKSA2 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 | 1505 注文の詳細 |
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SSM3K16CT,L3F | MOSFET N-CH 20V 100MA CST3 | 2871 注文の詳細 |
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BUK951R6-30E,127 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 874 注文の詳細 |
在庫あり | 10836 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.54980 | $1.5498 |
1000 | $1.54980 | $1549.8 |
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