APT56M60B2

APT56M60B2
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部品番号 APT56M60B2
LIXINC Part # APT56M60B2
メーカー Roving Networks / Microchip Technology
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 600V 60A TO247
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル APT56M60B2 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

APT56M60B2 仕様

部品番号:APT56M60B2
ブランド:Roving Networks / Microchip Technology
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Roving Networks / Microchip Technology
シリーズ:POWER MOS 8™
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:60A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:130mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:280 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:11300 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1040W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-247 [B]
パッケージ・ケース:TO-247-3 Variant

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